31, Gallium (Ga)

lat. gallia = Gallien, Frankreich

Physikalische Eigenschaften:
         
  Mg Al Si  
  Zn Ga Ge  
  Cd In Sn  
         
 
 
Anzahl Modifikationen: 7

Gallium (α-Modifiaktion)
Galliumstück. orthorhombisch
Galliumstück.[1] Kristallsystem: Orthorhombisch
       
Umwandlungspunkte:      
Sprungtemp. Supraleitfähigkeit: bei -272.059°C (1.091K)  
Schmelzpunkt: bei 29.76°C (302.91K)  
Siedepunkt: bei 2204°C (2477K)  
In oberhalb 30 kbar  
       
Dichtewerte:      
Fest: 5.904 g/cm3 bei 25°C (298 K) und 1 bar
Flüssig: 6.095 g/mL bei 29.76°C (302.91 K) und 1 bar
       
Elektrizität:      
Elektrische Leitfähigkeit: 7.14 MS/m  
       
Mechanische Eigenschaften:      
Härte nach Mohs: 1.5    
Härte nach Brinell: 60 MPa  
Poissonzahl: 0.47    
Elastizitätsmodul: 9.81 GPa  
Schermodul: 6.67 GPa  
Kompressionsmodul: 56.8 GPa  
       
Thermische Eigenschaften:    
Wärmeleitfähigkeit: 29 W/mK  
Längenausdehnungskoeffizent: 18.1 μm/(m•K)  
       
Magnetische Eigenschaften:      
Ausschließlich diamagnetisch -2.3e-5 χm  
       
Akustische Eigenschaften:      
Schallgeschwindigkeiten (longitudinal):      
Fest: 3160 m/s bei 25°C (298 K) und 1 bar
Flüssig: 2740 m/s bei 50°C (320 K) und 1 bar
       
Schallgeschwindigkeiten (transversal):      
Fest: 750 m/s bei 25°C (298 K) und 1 bar

Gallium (β-Modifikation)
Diese Modifikation entsteht aus der unterkühlten Schmelze des flüssigen Metalls unterhalb -16,3°C.


monoklin
Kristallsystem: Monoklin
       
Umwandlungspunkte:      
Sprungtemp. Supraleitfähigkeit: bei -267.08°C (6.07K)  
In  

Gallium (γ-Modifikation)
Entsteht aus einer unterkühlten Schmelze bei Temperaturen unterhalb -35,6°C.


orthorhombisch
Kristallsystem: Orthorhombisch
       
Umwandlungspunkte:      
Sprungtemp. Supraleitfähigkeit: bei -265.3°C (7.9K)  
In  

Gallium (δ-Modifikation)
Entsteht beim Erstarren einer unterkühlten Ga-Schmelze unterhalb -19,4°C.


trigonal-rhomboedrisch
Kristallsystem: Trigonal-rhomboedrisch
       
Umwandlungspunkte:      
Sprungtemp. Supraleitfähigkeit: bei -265.55°C (7.6K)  
In  

Gallium (II)
kubisch-raumzentriert
Kristallsystem: Kubisch-raumzentriert
       
Umwandlungspunkte:      
In unterhalb 30 kbar  
In oberhalb 0.14 Mbar  

Gallium (III)
Diese Hochdruck-Modifikation entspricht strukturell dem schweren Homologen Indium, welches diese Struktur bereits bei Normalbedingungen aufweist.


tetragonal
Kristallsystem: Tetragonal
       
Umwandlungspunkte:      
In unterhalb 30 kbar  
In oberhalb 1.2 Mbar  

Gallium (IV)
kubisch-flächenzentriert
Kristallsystem: Kubisch-flächenzentriert
       
Umwandlungspunkte:      
In unterhalb 1.2 Mbar  
Bild-Quellen: [1] Eigenes Bild. Dieses Bild darf unter den Bedingungen der Creative Commons Lizenz frei verwendet werden. Bei Verwendung bitte einen Link auf mein Web-Angebot setzen.